型号:RC28F640K3C110 | 类别:存储器 | 制造商:Intel |
封装:64-BGA | 描述:IC FLASH 64MBIT 110NS 64BGA |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC FLASH 64MBIT 110NS 64BGA |
系列 | - |
制造商 | Intel |
格式_存储器 | 闪存 |
存储器类型 | StrataFlash? 闪存 |
存储容量 | 64M(4M x 16) |
速度 | 110ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
封装/外壳 | 64-BGA |
供应商器件封装 | 64-EasyBGA(13x10) |
包装 | 托盘 |
供应商
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
深圳诚思涵科技有限公司 | 朱先生0755-83015506-23947236 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市诚兴宇科技有限公司 | 张先生 徐小姐0755-83215047张先生/086-0755-82528757徐小姐 |
深圳市恒达亿科技有限公司 | 夏先生 朱小姐086-0755-82723761/82772189 |
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
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轴向
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LED DRVR CONST 1.2A 3-33VOUT
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Vishay Dale
宽 1812(4532 公制),1218
RES 2.4K OHM 1W 5% 1218 WIDE
- RCL1225294RFKEG
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
宽 2512(6432 公制),1225
RES 294 OHM 2W 1% 1225 WIDE
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RES 499 OHM 0.25W 0.1% AXIAL
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轴向
CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD
- PSS.F2.BB2.LCE30
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轴向
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芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
宽 1812(4532 公制),1218
RES 2.55K OHM 1W 1% 1218 WIDE
- RCL12252K20JNEG
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
宽 2512(6432 公制),1225
RES 2.2K OHM 2W 5% 1225 WIDE
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通孔电阻器
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轴向
RES 49.9K OHM 0.25W 0.1% AXIAL
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轴向
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芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
宽 2512(6432 公制),1225
RES 2.32K OHM 2W 1% 1225 WIDE
- RCL12182K94FKEK
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
宽 1812(4532 公制),1218
RES 2.94K OHM 1W 1% 1218 WIDE
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芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
宽 2512(6432 公制),1225
RES 2.4K OHM 2W 1% 1225 WIDE
- RCL12182R10FKEK
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
宽 1812(4532 公制),1218
RES 2.10 OHM 1W 1% 1218 WIDE
- RC55Y-68K1BI
通孔电阻器
TT Electronics/Welwyn
轴向
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- RBM08DSUS
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IC FLASH 64MBIT 65NM 64EZBGA
- PT5049N
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宽 1812(4532 公制),1218
RES 2.15 OHM 1W 1% 1218 WIDE
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芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
宽 2512(6432 公制),1225
RES 2.74 OHM 2W 1% 1225 WIDE
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Card Edge, Edgeboard Connectors
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宽 2512(6432 公制),1225
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